高纯酸提纯装置盐酸提纯装置1LPFA酸纯化仪
酸纯化器
一、产品简介：
酸纯化器：又称酸纯化系统，高纯酸提纯器，酸试剂提纯器，高纯酸蒸馏纯化器等，实验室工作中常常由于酸的纯度较差，造成分析结果的偏差与错误。市售的纯酸往往由于价格较贵，很难满足日常分析中对酸的大量需求。因此，提纯优化酸的质量，为经济可行的途径，我厂的酸纯化器可用于实验室如HNO3、HCl、HF、碱溶液和有机溶剂的纯化，纯化后的酸和Merck的一样好，实验后期可配套我单位Teflon特氟龙系列试剂瓶收取高纯酸。
二、工作原理：
酸纯化器是利用热辐射原理，保持液体温度低于沸点温度蒸发，再将其酸蒸气冷凝从而制备高纯水和高纯试剂，广泛应用于样品处理及分析实验中。
三、产品特点：
1、可以满足ICP、ICP-MS低的检测限需要及苛刻的分析应用中提供实验室级超纯酸，所用容器均采用Teflon耐腐蚀无吸附塑料，可处理如HNO3、HCl、HF等实验室的常用酸。
2、实验证明将金属杂质含量约10ppb的酸经过一次蒸馏后，金属杂质含量可以降低到0.01ppb左右。若对酸要求更高，可增加提纯次数。
四、相关参数：
型号 CH-I 500ml CH-II 1000ml CH-Ⅲ 2000ml
名称 酸纯化器 酸纯化器 酸纯化器
产酸率 30ml/h 50ml/h 70ml/h
温控方式 PID温控数显 PID温控数显 PID温控数显
控温精度 ±1℃ ±1℃ ±1℃
材质 FEP、PTFE、硅胶
电压 220V/50Hz
功率（W） 350
优势 1.密闭环境下提纯酸，不受环境污染，确保酸纯度
2.纯FEP、PTFE材质制造，值低无腐蚀
3.结构合理，操作简单，一键式操作，蒸干自我保护
4.提纯过程中，少量酸气逸出
5.节约成本，方便实验：较短时间内纯化低成本的酸试剂以达到痕量分析要求
五、使用注意事项：
1、所有配件（控制器、电源线、加热片等除外）放入按实验要求一定浓度的酸液中浸泡，去除杂质。
2、加酸前必须做好个人防护如：防溅眼镜、防酸手套等（蒸水除外）。
【电子级酸】：
适用于半导体生产过程中所用产品的清洗和蚀刻以及痕量金属元素残留分析，根据质控的金属元素含量的数量和含量，划分为4个级别：MOS级，VLSI级，ULSI级，SLSI级
MOS级（EL级）：控制十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在100PPb左右
VLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10~100PPb
ULSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10PPb以下
SLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在1PPB以下
一、产品简介：
酸纯化器：又称酸纯化系统，高纯酸提纯器，酸试剂提纯器，高纯酸蒸馏纯化器等，实验室工作中常常由于酸的纯度较差，造成分析结果的偏差与错误。市售的纯酸往往由于价格较贵，很难满足日常分析中对酸的大量需求。因此，提纯优化酸的质量，为经济可行的途径，我厂的酸纯化器可用于实验室如HNO3、HCl、HF、碱溶液和有机溶剂的纯化，纯化后的酸和Merck的一样好，实验后期可配套我单位Teflon特氟龙系列试剂瓶收取高纯酸。
二、工作原理：
酸纯化器是利用热辐射原理，保持液体温度低于沸点温度蒸发，再将其酸蒸气冷凝从而制备高纯水和高纯试剂，广泛应用于样品处理及分析实验中。
三、产品特点：
1、可以满足ICP、ICP-MS低的检测限需要及苛刻的分析应用中提供实验室级超纯酸，所用容器均采用Teflon耐腐蚀无吸附塑料，可处理如HNO3、HCl、HF等实验室的常用酸。
2、实验证明将金属杂质含量约10ppb的酸经过一次蒸馏后，金属杂质含量可以降低到0.01ppb左右。若对酸要求更高，可增加提纯次数。
四、相关参数：
型号 CH-I 500ml CH-II 1000ml CH-Ⅲ 2000ml
名称 酸纯化器 酸纯化器 酸纯化器
产酸率 30ml/h 50ml/h 70ml/h
温控方式 PID温控数显 PID温控数显 PID温控数显
控温精度 ±1℃ ±1℃ ±1℃
材质 FEP、PTFE、硅胶
电压 220V/50Hz
功率（W） 350
优势 1.密闭环境下提纯酸，不受环境污染，确保酸纯度
2.纯FEP、PTFE材质制造，值低无腐蚀
3.结构合理，操作简单，一键式操作，蒸干自我保护
4.提纯过程中，少量酸气逸出
5.节约成本，方便实验：较短时间内纯化低成本的酸试剂以达到痕量分析要求
五、使用注意事项：
1、所有配件（控制器、电源线、加热片等除外）放入按实验要求一定浓度的酸液中浸泡，去除杂质。
2、加酸前必须做好个人防护如：防溅眼镜、防酸手套等（蒸水除外）。
【电子级酸】：
适用于半导体生产过程中所用产品的清洗和蚀刻以及痕量金属元素残留分析，根据质控的金属元素含量的数量和含量，划分为4个级别：MOS级，VLSI级，ULSI级，SLSI级
MOS级（EL级）：控制十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在100PPb左右
VLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10~100PPb
ULSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在10PPb以下
SLSI级：控制三十多个金属元素，单项金属元素杂质控制在1PPB以下
