电阻器生产厂家
薄膜贴片电阻是近年来发展快,应用范围广,新一代芯片电阻有前景的,国外公司已批量生产,几年前我国台湾企业一次一年两年开始批量生产,但目前大陆只有少数厂商可以生产这类产品.
文章选自：sdj***/products/176/
与厚膜式电阻相比，镍铬合金片式电阻膜层的电阻，精密加工和后加工，电阻值精度可达+/- 0.05％，可达到+ / - 5 PPM /℃温度系数，稳定性可达0.02％，代替厚膜片电阻器的低精度和传统的高精度，具有引线电阻的柱状理想产品的高稳定性。薄膜电阻器的生产主要有以下几个方面。
基质。薄膜电阻薄膜保持稳定状态一般需要在125℃下工作，在每10℃升温的基础上，薄膜层的稳定性可在空气中降低2％（）。一般来说，当温度在125℃时，漂移的电阻为0.5％，而当温度升至135℃时，漂移值将达到1％，这是因为空气中的氧气会不断地抗氧化涂层。当然，影响温升的因素包括电阻器的尺寸，功率，周围元件，陶瓷基板的类型以及散热器的使用。同时，由于薄膜电阻膜层，瓷膜的表面粗糙度和粗糙度也是电阻器性能的决定性因素。
因此必须选择一种能够通过快速耗散确保的热量，并能保证高表面粗糙度，良好材料的粗糙度，经过比较，陶瓷基板中只有99.6％的Al2O3含量可以同时满足上述要求。目前，这种类型的陶瓷基板已经大规模生产，主要在一些日本和台湾。
成膜。在电阻器的生产中，NiCr和钽（TaN）通常用作电阻膜材料。镍铬材料的温度系数相对较小，另一侧的电阻较大。氮化钽具有低电阻，温度系数为负。因此，在实际生产中，通常选择以镍铬为主要成分的合金复合膜。
激光电阻。高压电阻器是用激光微调电阻器机近年来发展很快，第四代高压电阻器采用激光微调电阻器生产，并专用于薄膜片电阻器，激光波长为532 nm的绿色激光微调电阻器生产，已经有很多公司的价值控制精度可以达到+/- 0.02％，电阻率可达300毫米/秒，完全适合批量生产薄膜贴片电阻。
面部处理。近年来人脸加工技术也进行了升级，使用了排骨和溅射机，使得以前的银色技术升级为终端溅镀镍铬金属，不仅降低了成本，提高了效率，还大大提高了稳定性和产品的可靠性。
总之，从整体工业水平来看，中国大陆芯片元件行业与美国和日本之间存在一定差距。电子元件制造企业面临的共同问题是核心竞争力差，产品类别低，而产品技术含量低，附加值低，绕线电阻器具有自主知识产权的产品较少，对一些核心技术也有其他规范。然而，芯片元件的快速发展，无源集成产业的兴起以及全球产业结构的调整，为中国芯片元件产业的发展提供了更好的机遇。
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与厚膜式电阻相比，镍铬合金片式电阻膜层的电阻，精密加工和后加工，电阻值精度可达+/- 0.05％，可达到+ / - 5 PPM /℃温度系数，稳定性可达0.02％，代替厚膜片电阻器的低精度和传统的高精度，具有引线电阻的柱状理想产品的高稳定性。薄膜电阻器的生产主要有以下几个方面。
基质。薄膜电阻薄膜保持稳定状态一般需要在125℃下工作，在每10℃升温的基础上，薄膜层的稳定性可在空气中降低2％（）。一般来说，当温度在125℃时，漂移的电阻为0.5％，而当温度升至135℃时，漂移值将达到1％，这是因为空气中的氧气会不断地抗氧化涂层。当然，影响温升的因素包括电阻器的尺寸，功率，周围元件，陶瓷基板的类型以及散热器的使用。同时，由于薄膜电阻膜层，瓷膜的表面粗糙度和粗糙度也是电阻器性能的决定性因素。
因此必须选择一种能够通过快速耗散确保的热量，并能保证高表面粗糙度，良好材料的粗糙度，经过比较，陶瓷基板中只有99.6％的Al2O3含量可以同时满足上述要求。目前，这种类型的陶瓷基板已经大规模生产，主要在一些日本和台湾。
成膜。在电阻器的生产中，NiCr和钽（TaN）通常用作电阻膜材料。镍铬材料的温度系数相对较小，另一侧的电阻较大。氮化钽具有低电阻，温度系数为负。因此，在实际生产中，通常选择以镍铬为主要成分的合金复合膜。
激光电阻。高压电阻器是用激光微调电阻器机近年来发展很快，第四代高压电阻器采用激光微调电阻器生产，并专用于薄膜片电阻器，激光波长为532 nm的绿色激光微调电阻器生产，已经有很多公司的价值控制精度可以达到+/- 0.02％，电阻率可达300毫米/秒，完全适合批量生产薄膜贴片电阻。
面部处理。近年来人脸加工技术也进行了升级，使用了排骨和溅射机，使得以前的银色技术升级为终端溅镀镍铬金属，不仅降低了成本，提高了效率，还大大提高了稳定性和产品的可靠性。
总之，从整体工业水平来看，中国大陆芯片元件行业与美国和日本之间存在一定差距。电子元件制造企业面临的共同问题是核心竞争力差，产品类别低，而产品技术含量低，附加值低，绕线电阻器具有自主知识产权的产品较少，对一些核心技术也有其他规范。然而，芯片元件的快速发展，无源集成产业的兴起以及全球产业结构的调整，为中国芯片元件产业的发展提供了更好的机遇。
