晶闸管过电压的维护办法

　　在结型场效应管中，栅极和沟道间的PN结是反向偏置的，所以输入电阻很大。但PN结反偏时总会有一些反向电流存在，这就绑缚了输入电阻的进一步跋涉。假定在栅极与沟道间用一绝缘层离隔，便制成了绝缘栅型场效应管，其输入电阻可跋涉到。依据绝缘层所用资料之纷歧样，绝缘栅场效应管有多品种型，现在运用广泛的一种是以二氧化硅（SiO2）为绝缘层的金属一氧化物一半导体（Meial-Oxide-Semiconductor）场效应管，简称MOS场效应管（MOSFET）。它也有N沟道和P沟道两类，每类按构造纷歧样又分为增强型和耗尽型。

　　致使过电压的首要要素，是因为电路中通常都接有电感元件。在堵截或接通电路时，从一个元件导通变换到另一个元件导通时，以及熔断器熔断时，电路中的电压通常都会跨过正常值。有时雷击也会致使过电压。

　　晶闸管过电压的维护办法有下列几种：

　　1.阻容维护

　　能够运用电容来吸收过电压，正本质即是将构成过电压的能骤成为电场能量贮存到电容器中，然后开释到电阻中去耗费掉。这是过电压维护的根柢办法。

　　阻容吸收元件能够并联在整流设备的沟通侧（输入端）、直流侧（输出端）或元件侧

　　2.硒堆维护

　　硒堆（硒整流片）是一种非线性电阻元件，具有较陡的反向特性。当硒堆上电压跨过某一数值后，它的电阻活络减小，并且能够经过较大的电流，把过电压能量耗费在非线性电阻上，而硒堆并不损坏。

　　硒堆能够独自运用（图1），也能够和阻容元件并联运用。

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