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晶体三极管的首要参数

区域:
上海 > 上海周边
类别:
其他电子元器件
单价:
1 元
公司:
云汉芯城
  1.电流拓宽系数

  当晶体管接成共发射极电路时,在静态(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为静态电流(直流)拓宽系数 晶体管作业在动态(有输入信号)时,基极电流的改动量为△IB ,它致使集电极电流的改动量为△IC 。△IC 与△IB的比值称为动态电流(沟通)拓宽系数 在输出特性曲线近于平行等距并且 ICEO 较小的状况下,可近似以为,但二者意义纷歧样。

  2.集—基极反向截止电流 ICBO

  ICBO 是当发射极开路时流经集电结的反向电流,其值很小。

  3.集—射极反向截止电流 ICEO

  ICEO 是当基极开路(IB = 0)时的集电极电流,也称为穿透电流,其值越小越好。

  4.集电极大容许电流ICM

  当值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流,称为集电极大容许电流 ICM。

  5.集—射反相击穿电压 U(BR)CEO

  基极开路时,加在集电极和发射极之间的大容许电压,称为集—射反相击穿电压 U(BR)CEO。

  6. 集电极大容许耗散功率PCM

  当晶体管因受热而致使的参数改动不跨过容许值时,集电极所耗费的大功率,称为集电极大容许耗散功率 PCM。

  由ICM、U(BR)CEO、PCM三者一同判定晶体管的安全作业区。

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