高压二极管的好坏怎么检测
高压二极管，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压二极管，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压二极管已软击穿损坏。
半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
高压二极管与高压硅堆有什么区别？高压硅堆如何检测好坏？
硅堆就是多个二极管串联，再封装。高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
另一种方法是：高压硅堆有整流功能，将万用表的量程开关拨至直流电压档250V或500V档后，如图1d所示串联高压硅堆并接在220V交流电源上。由于高压硅堆的整流作用，万用表指针的偏转反映了半波整流后的电流平均值，因而高压硅堆与万用表就构成了一只半波整流式的交流电压表。
当被测高压硅堆按照正向接法连接时，万用表读数在30 V以上时即为合格。当按反向接法连接时，万用表指针应反向偏转。若万用表指针始终不动，则可能是高压硅堆内部断路，使电流不能通过万用表，但也可能是高压硅堆已击穿。短路时交流电压虽能直接加于万用表，然而由于交流电频率为50 Hz，万用表指针来不及摆动，所以量程开关拨在直流电压档的万用表总是处于零位上。
因此，判断高压硅堆短路和断路，只要把万用表的量程开关拨至交流电压250 V或500 V档，若读数为220V交流电压值，则证明被测高压硅堆短路，若此时读数为零，则表明高压硅堆内部已断路。
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半导体二极管又称晶体二极管，简称二极管（diode）；它只往一个方向传送电流的电子零件。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
二极管的管压降：硅二极管（不发光类型）正向管压降0.7V，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
高压二极管与高压硅堆有什么区别？高压硅堆如何检测好坏？
硅堆就是多个二极管串联，再封装。高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。
另一种方法是：高压硅堆有整流功能，将万用表的量程开关拨至直流电压档250V或500V档后，如图1d所示串联高压硅堆并接在220V交流电源上。由于高压硅堆的整流作用，万用表指针的偏转反映了半波整流后的电流平均值，因而高压硅堆与万用表就构成了一只半波整流式的交流电压表。
当被测高压硅堆按照正向接法连接时，万用表读数在30 V以上时即为合格。当按反向接法连接时，万用表指针应反向偏转。若万用表指针始终不动，则可能是高压硅堆内部断路，使电流不能通过万用表，但也可能是高压硅堆已击穿。短路时交流电压虽能直接加于万用表，然而由于交流电频率为50 Hz，万用表指针来不及摆动，所以量程开关拨在直流电压档的万用表总是处于零位上。
因此，判断高压硅堆短路和断路，只要把万用表的量程开关拨至交流电压250 V或500 V档，若读数为220V交流电压值，则证明被测高压硅堆短路，若此时读数为零，则表明高压硅堆内部已断路。
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