BSC016N06NSN沟道场效应晶体管

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型号：BSC016N06NS
批号：17+
封装：PG-TDSON-8

规格：
FET 类型      N 沟道
技术      MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）      60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）      30A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）      6V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值）      2.8V @ 95μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值）      71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值）      5200pF @ 30V
Vgs（大值）      ±20V
FET 功能      -
功率耗散（大值）      2.5W（Ta），139W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值）      1.6 毫欧 @ 50A，10V
工作温度      -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型      表面贴装
供应商器件封装      PG-TDSON-8
封装/外壳      8-PowerTDFN

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