CREE科锐公司的历史和产品变迁
说到GaN(氮化镓)产品，不得不说到一家美国公司:CREE科锐，可以说，讲GaN材料应用到，并产生商业价值大化，全球没有第二家公司超越。
经常听到一些芯片行业朋友说到CREE公司和Wolfspeed公司，有点混淆。
CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。
由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料加工、裸芯设计、外延、封装等，CREE的工程师发现采用SiC材料制成的 MOS功率管，具备更好的市场价值。再到2004年，CREE的的功率器件开始大范围采用GaN（氮化镓）材料，并将GaN材料开始应用于大功率RF器件产品设计。其GaN射频器件主要服务于美国军工领域，如知名的“萨德”导弹防御系统，以超宽的频率覆盖和大功率射频功率，技术段位无人超越。
当全球LED灯珠已经成熟，快要红海一片的时候，CREE通过收购和出售的方式，逐渐推出了LED的主要市场。
2015年初，CREE公司计划将射频产品线独立出来，以近3.5亿美金卖给英飞凌infineon，由于限制原因，收购计划终止。CREE不得不将这一套射频微波器件团队重新建立品牌为wolfspeed.
CREE公司在SiC功率MOS器件方面，占据了重要的市场份额，如新能源，尤其是当前的电车市场。而其GaN射频器件，占据了宽带大功率RF市场，依然无人超越。
深圳市立维创展科技是CREE的经销商，拥有CREE微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。
详情了解CREE射频微波请点击：http://www.lead***/brand/35.html
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CREE公司于1987年成立于美国北卡罗莱纳，1989年以LED灯珠商用化迅速抢占全球市场，由于当时的市场主要还是白炽灯的时代，而LED灯珠以超高的比，全球市场需求迅速爆发，仅4年时间即实现美国NASDAQ上市。
由于LED灯珠的制造工艺，涉及到SiC材料加工、裸芯设计、外延、封装等，CREE的工程师发现采用SiC材料制成的 MOS功率管，具备更好的市场价值。再到2004年，CREE的的功率器件开始大范围采用GaN（氮化镓）材料，并将GaN材料开始应用于大功率RF器件产品设计。其GaN射频器件主要服务于美国军工领域，如知名的“萨德”导弹防御系统，以超宽的频率覆盖和大功率射频功率，技术段位无人超越。
当全球LED灯珠已经成熟，快要红海一片的时候，CREE通过收购和出售的方式，逐渐推出了LED的主要市场。
2015年初，CREE公司计划将射频产品线独立出来，以近3.5亿美金卖给英飞凌infineon，由于限制原因，收购计划终止。CREE不得不将这一套射频微波器件团队重新建立品牌为wolfspeed.
CREE公司在SiC功率MOS器件方面，占据了重要的市场份额，如新能源，尤其是当前的电车市场。而其GaN射频器件，占据了宽带大功率RF市场，依然无人超越。
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