CMPA2735030 航空航天与国防GaN MMIC

CREE的CMPA2735030是种根据氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能；包括更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还提供了更高的功率密度和更宽的带宽。CMPA2735030包括两级电抗适配功率放大器设计思路，能够实现极其宽的带宽。

特征

额定电压高达 50 V

高击穿场强

宽度为 5mm x 5mm；QFN 封装

高温度使用

应用领域

民用型和军工用脉冲雷达功率放大器

产品规格

描述：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 功率放大器

低频率(MHz)：2700

高频率(MHz)：3500

高值输出功率(W)：30

增益值(dB：)30.0

工作效率（％）：45

额定电压(V)：50

形式：离散裸芯片

封装类别：Die

技术：GaN-on-SiC

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