等离子设备厂家等离子表面处理机供应商
等离子设备厂家等离子表面处理机供应商：诚峰智造（http://www.sf***）
喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-DP1010-D
名称（Name） 喷射型AP等离子处理系统
型号（Model） CRF-APO-DP1010-D
电源（Power supply） 220V/AC,50/60Hz
功率（Power） 1000W/25KHz
处理高度（Processing height） 5-15mm
处理宽幅（Processing width） 1-6mm（Option）
内部控制模式（Internal control mode） 数字控制
外部控制模式（External control mode） RS485/RS232数字通讯口、
模拟量控制口 工作气体（Gas）
Compressed Air （0.4mpa）
产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；
具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。
设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；
可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；
使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；
应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。
晶片清洗分为湿式清洗和干式清洗，等离子清洗属于后者，主要去除晶片表面肉眼看不见的表面污染物。其清洗过程是将晶片放入等离子清洗机的真空反应室中，抽出真空，达到一定的真空度后通过反应气体，这些反应气体被电离形成等离子体和晶片表面发生化学和物理反应，生成挥发性物质，晶片表面清洁，具有亲水性。
1清洗晶圆等离子清洗机。
1-1等离子清洗晶片在千级以上的清洁室进行，对particle的要求极高，超标的particle存在，晶片无法挽回的缺陷。因此，设计等离子清洗机的腔体必须首先是铝，而不是不锈钢。放置晶片支架的滑动部分，尽量采用不易产生粉尘和等离子腐蚀的材料。电极和支架易于拆卸，便于日常维护。
1-2等离子清洗机反应室内电极间距和层数、气路分布对晶片处理的均匀性有很大影响，这些指标需要不断试验优化。
1-3等离子清洗晶圆的过程中，会产生一定的热量累积，处于工艺的需求，需要保持电极板的温度在一定范围内，所以通常会给等离子清洗机的电极加水冷。
1-4多层电极等离子清洗机的生产能力高，可根据需要在各层支架上放置多个晶片，适用于半导体分立部件、电力电子部件专用的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜去除等。
2晶圆级封装前处理的等离子清洗机。
2-1晶片级封装(WLP、WaferLevelPackage)是先进的芯片封装方式之一，即晶片整体生产完成后，直接在晶片上进行封装和测试，切断晶片整体分为单晶粒的电气连接部分由铜凸块(CopperBump)代替接线(WireBond)
2-2晶圆级封装前处理的目的是表面的无机物，恢复氧化层，增加铜表面的粗糙度，提高产品的可靠性。
2-3晶圆级封装前处理的等离子清洗机因生产能力的需要，真空反应腔体、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀性等设计有显着差异。
2-4芯片制作完成后，剩馀的光刻胶不能用湿法清洗，只能用等离子去除，但光刻胶的厚度不确定，需要调整相应的技术参数。
喷射型AP等离子处理系统CRF-APO-DP1010-D
名称（Name） 喷射型AP等离子处理系统
型号（Model） CRF-APO-DP1010-D
电源（Power supply） 220V/AC,50/60Hz
功率（Power） 1000W/25KHz
处理高度（Processing height） 5-15mm
处理宽幅（Processing width） 1-6mm（Option）
内部控制模式（Internal control mode） 数字控制
外部控制模式（External control mode） RS485/RS232数字通讯口、
模拟量控制口 工作气体（Gas）
Compressed Air （0.4mpa）
产品特点：可选配多种类型喷嘴，使用于不同场合，满足各种不同产品和处理环境；
具有RS485/232数字通讯口和模拟量控制口，满足客户多元化需求。
设备尺寸小巧，方便携带和移动，节省客户使用空间；
可In-Line式安装于客户设备产线中，减少客户投入成本；
使用寿命长，保养维修成本低，便于客户成本控制；
应用范围：主要应用于电子行业的手机壳印刷、涂覆、点胶等前处理，手机屏幕的表面处理；工业的航空航天电连接器表面清洗；通用行业的丝网印刷、转移印刷前处理等。
晶片清洗分为湿式清洗和干式清洗，等离子清洗属于后者，主要去除晶片表面肉眼看不见的表面污染物。其清洗过程是将晶片放入等离子清洗机的真空反应室中，抽出真空，达到一定的真空度后通过反应气体，这些反应气体被电离形成等离子体和晶片表面发生化学和物理反应，生成挥发性物质，晶片表面清洁，具有亲水性。
1清洗晶圆等离子清洗机。
1-1等离子清洗晶片在千级以上的清洁室进行，对particle的要求极高，超标的particle存在，晶片无法挽回的缺陷。因此，设计等离子清洗机的腔体必须首先是铝，而不是不锈钢。放置晶片支架的滑动部分，尽量采用不易产生粉尘和等离子腐蚀的材料。电极和支架易于拆卸，便于日常维护。
1-2等离子清洗机反应室内电极间距和层数、气路分布对晶片处理的均匀性有很大影响，这些指标需要不断试验优化。
1-3等离子清洗晶圆的过程中，会产生一定的热量累积，处于工艺的需求，需要保持电极板的温度在一定范围内，所以通常会给等离子清洗机的电极加水冷。
1-4多层电极等离子清洗机的生产能力高，可根据需要在各层支架上放置多个晶片，适用于半导体分立部件、电力电子部件专用的4英寸和6英寸晶片的光刻底膜去除等。
2晶圆级封装前处理的等离子清洗机。
2-1晶片级封装(WLP、WaferLevelPackage)是先进的芯片封装方式之一，即晶片整体生产完成后，直接在晶片上进行封装和测试，切断晶片整体分为单晶粒的电气连接部分由铜凸块(CopperBump)代替接线(WireBond)
2-2晶圆级封装前处理的目的是表面的无机物，恢复氧化层，增加铜表面的粗糙度，提高产品的可靠性。
2-3晶圆级封装前处理的等离子清洗机因生产能力的需要，真空反应腔体、电极结构、气流分布、水冷装置、均匀性等设计有显着差异。
2-4芯片制作完成后，剩馀的光刻胶不能用湿法清洗，只能用等离子去除，但光刻胶的厚度不确定，需要调整相应的技术参数。
