DMG7401SFG场效应管
简介：
这种MOSFET的设计目的是小化开态电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能，使其成为率电源管理应用的理想选择。
产品型号：DMG7401SFG
商品目录：MOS(场效应管)
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.8A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压（大值）：3V@250uA
漏源导通电阻（大值）：11mΩ@12A，20V
类型：P沟道
功率耗散（大值）：940mW
特征说明：
低RDS(ON)——确保状态损失小化
小的形状因素，热效率高的包装，使高密度的终产品
只占据了33%的董事会面积所占的SO-8使较小的终产品
完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)
无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101标准，可靠性高
一个汽车兼容的部分是单独的
机械数据：
例：PowerDI3333-8
外壳材料：模塑塑料，“绿色”复合模塑。
UL易燃性等级94V-0
湿度敏感性：1级每J-STD-020
在 Copper Terminals： Finish ? Matte Tin Annealed Leadframe.
可焊性按MIL-STD-202，方法208
重量：0.0174克(约)
DMG7401SFG推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_4658.html
标记信息：
这种MOSFET的设计目的是小化开态电阻(RDS(ON))，同时保持优越的开关性能，使其成为率电源管理应用的理想选择。
产品型号：DMG7401SFG
商品目录：MOS(场效应管)
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：9.8A
漏源电压（Vdss）：30V
栅源极阈值电压（大值）：3V@250uA
漏源导通电阻（大值）：11mΩ@12A，20V
类型：P沟道
功率耗散（大值）：940mW
特征说明：
低RDS(ON)——确保状态损失小化
小的形状因素，热效率高的包装，使高密度的终产品
只占据了33%的董事会面积所占的SO-8使较小的终产品
完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)
无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101标准，可靠性高
一个汽车兼容的部分是单独的
机械数据：
例：PowerDI3333-8
外壳材料：模塑塑料，“绿色”复合模塑。
UL易燃性等级94V-0
湿度敏感性：1级每J-STD-020
在 Copper Terminals： Finish ? Matte Tin Annealed Leadframe.
可焊性按MIL-STD-202，方法208
重量：0.0174克(约)
DMG7401SFG推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_4658.html
标记信息：
