DMG7401SFG场效应管
简介:
这种MOSFET的设计目的是小化开态电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,使其成为率电源管理应用的理想选择。
产品型号:DMG7401SFG
商品目录:MOS(场效应管)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.8A
漏源电压(Vdss):30V
栅源极阈值电压(大值):3V@250uA
漏源导通电阻(大值):11mΩ@12A,20V
类型:P沟道
功率耗散(大值):940mW
特征说明:
低RDS(ON)——确保状态损失小化
小的形状因素,热效率高的包装,使高密度的终产品
只占据了33%的董事会面积所占的SO-8使较小的终产品
完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)
无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101标准,可靠性高
一个汽车兼容的部分是单独的
机械数据:
例:PowerDI3333-8
外壳材料:模塑塑料,“绿色”复合模塑。
UL易燃性等级94V-0
湿度敏感性:1级每J-STD-020
在 Copper Terminals: Finish ? Matte Tin Annealed Leadframe.
可焊性按MIL-STD-202,方法208
重量:0.0174克(约)
DMG7401SFG推荐产品:http://www.dzs***/ic-detail/9_4658.html
标记信息:
这种MOSFET的设计目的是小化开态电阻(RDS(ON)),同时保持优越的开关性能,使其成为率电源管理应用的理想选择。
产品型号:DMG7401SFG
商品目录:MOS(场效应管)
电流-连续漏极(Id)(25°C时):9.8A
漏源电压(Vdss):30V
栅源极阈值电压(大值):3V@250uA
漏源导通电阻(大值):11mΩ@12A,20V
类型:P沟道
功率耗散(大值):940mW
特征说明:
低RDS(ON)——确保状态损失小化
小的形状因素,热效率高的包装,使高密度的终产品
只占据了33%的董事会面积所占的SO-8使较小的终产品
完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)
无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
符合AEC-Q101标准,可靠性高
一个汽车兼容的部分是单独的
机械数据:
例:PowerDI3333-8
外壳材料:模塑塑料,“绿色”复合模塑。
UL易燃性等级94V-0
湿度敏感性:1级每J-STD-020
在 Copper Terminals: Finish ? Matte Tin Annealed Leadframe.
可焊性按MIL-STD-202,方法208
重量:0.0174克(约)
DMG7401SFG推荐产品:http://www.dzs***/ic-detail/9_4658.html
标记信息: