IRF630N推荐产品

　　简介：
　　来自国际整流器的第五代HEXFET?功率mosfet采用先进的加工技术，实现每硅区极低的导通电阻。这一优点，结合快速开关速度和坚固的设备设计，这是众所周知的六场效应晶体管功率mosfts，为设计师提供了一个非常和可靠的设备，用于广泛的应用。

　　产品型号：IRF630N
　　商品目录：MOS(场效应管)
　　连续漏极电流（Id）（25°C时）：9.3A
　　漏源电压（Vdss）：200V
　　栅源极阈值电压（大值）：4V@250uA
　　漏源导通电阻（大值）：300mΩ@5.4A，10V
　　类型：N沟道
　　功率耗散（大值）：82W

　　特征：
　　先进的工艺技术
　　动态的dv/dt评级
　　操作温度175°C
　　快速切换
　　完全雪崩额定
　　易于并联
　　简单的驱动要求
　　无铅
　　IRF630N推荐产品：http://www.dzs***/ic-detail/9_8610.html

　　封装：