华强北IC代购网供应NGB8204型号IGBT晶体

        华强北IC代购网供应NGB8204型号IGBT晶体管
  IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  华强北IC代购网供应安森美半导体NGB8204型号IGBT晶体管，安装风格SMD/SMT，封装/箱体D2PAK，工作温度-55℃—175℃，年份12+。
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