LINEAR GaAsFET 偏置发生器
GaAsFET（砷化镓场效应晶体管）是高频、超高频、微波无线电频下功放电路的场效应晶体管。GaAsFET凭借其灵敏性而举世闻名，其形成的内部噪声极少。这主要是由于砷化镓拥有与众不同的载流子迁移率。电子特别容易通过半导体材料。GaAsFET是一款耗尽型机械设备，这就代表着当在操纵电极门没有电压时它便会导电，当在门侧产生电压时信道传导率便会降低。在弱数据信号无线通信和广播接收中，GaAsFET优于其他类型的场效晶体管。
LINEAR提供了完整性的充电泵DC-DC稳压器产品，特别适合于用来作为GaAsFET偏置发生器。
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产品型号
Vin (min)
Vin (max)
Output Current (typ)
Output Voltage
Isupply (typ)
Frequency (typ)
V
V
A
A
Hz
LTC1261L
2.7
5.25
20m
-4.5V, -4V, Adj
650μ
650k
LTC1550L
2.7
5.25
20m
-2.5V, -2V, -4.1V, -4V, Adj
4.2m
900k
LTC1551L
2.7
5.25
20m
-4.1V
3.5m
900k
LTC1550
2.7
5.25
20m
-1.5V, -2.5V, -2V, -4.1V, -4.5V, Adj
4.2m
900k
LTC1551
2.7
5.25
20m
-4.1V
4.2m
900k
LTC1261
3
8
12m
-3V, -4.5V, -4V, -5V, Adj
600μ
550k
