Teledyne防务电子GaN宽带放大器

氮化镓(GaN)功率半导体技术应用为增强射频/微波功率放大器性能作出了巨大贡献。利用减少元器件的附生器件，选用更短的栅极尺寸和更高的电压频率，GaN晶体管满足了更高的输出功率、更宽的带宽和更快的直流电源射频效率。

随着以GaN材质为代表的第三代半导体器件的诞生，GaN HEMT因为其宽频带隙而备受关注，高传热性、高击穿场强和高峰值电子转移速率。基于GaN材质的宽带功率放大器普遍使用于无线通信网络、无线网络、电子对抗、雷达系统等行业领域。

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