CGHV96130F X波段功率放大器CREE

CREE的CGHV96130F是碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高迁移率晶体管(HEMT)与其他技术相比，CGHV96130F内部适应(IM)FET具有出色的功率附加效率。与砷化镓相比，GaN具有更好的性能；包括更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还具有更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96130F使用金属/陶瓷法兰封装可以实现佳的电气和热稳定性。

特征

166WPOUT（典型值）

7.5dB功率增益值

42%典型PAE

50Ω内部适配

<0.3dB功率下降

产品规格

描述：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；主要用于X波段雷达应用的输入/输出适配GaNHEMT

小频率(MHz)：8400

大频率(MHz)：9600

高值输出功率(W)：130

效率（％）：42

额定电压(V)：40