CGHV40180 L波段功率放大器CREE

CGHV40180是款氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。具备前所未有的输入，能够在DC-2.0GHz范围之内提供的瞬时宽带性能。与硅或砷化镓相比较，CGHV40180具有更加优异的性能；包括更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移速度与更高的导热系数。与Si和GaAs晶体管相比较，CGHV40180还提供更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV40180选用2导线金属/陶瓷法兰盘和药丸式封装，能够实现电气和热稳定性。

特征

输入不适配

180W(CW)低功率

250W典型功率

24dB典型小信号增益值

28V和50V使用

应用领域

雷达探测

医疗保健

宽带放大器

信息安全VHF-UHF

国防军事通讯设备

产品规格

描述：180瓦；DC-2GHz；氮化镓高电子迁移率晶体管

低频率(MHz)：0

高频率(MHz)：2000

高值输出功率(W)：200

增益值(分贝)：24.0

效率（％）：70

额定电压(V)：27

类型：封装分立晶体管

封装类别：法兰盘、丸状

技术应用：GaN-on-SiC