CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CRE

CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比，这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷法兰盘封装形式，能够实现电力设备和热稳定性。

特征

7.9–8.4GHz工作

80WPOUT（典型值）

>13dB功率增益值

33%典型线性PAE

50Ω内部搭配

<0.1dB功率降低

应用领域

卫星通讯

地面宽带

产品规格

描述：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；输入/输出搭配GaNHEMT

低频率(MHz)：7900

高频率(MHz)：8400

高值输出功率(W)：50

增益值(dB)：13.0

效率（％）：33

额定电压(V)：40

形式：封装形式分立晶体管

封装形式类别：法兰盘

技术应用：GaN-on-SiC