高温存储器8MB08SF03
8MB08SF03
•2.7–3.6伏用于读取和程序操作
•SPI总线兼容串行接口
•终端镀金
•扇区擦除架构
•支持全芯片擦除
•嵌入式擦除算法
•嵌入式程序算法
•逐页编程周期(每页256字节)
•50兆赫时钟频率支持10兆比特每秒读速率(大值)
•写保护针与状态寄存器一起工作,以保护部分内存
•低功耗
•节能待机模式
•专为高温应用设计
•读/写温度:低55°C,高175°C(为200°C应用呼叫工厂)
•17时预期寿命2000小时5°C
•2.7–3.6伏用于读取和程序操作
•SPI总线兼容串行接口
•终端镀金
•扇区擦除架构
•支持全芯片擦除
•嵌入式擦除算法
•嵌入式程序算法
•逐页编程周期(每页256字节)
•50兆赫时钟频率支持10兆比特每秒读速率(大值)
•写保护针与状态寄存器一起工作,以保护部分内存
•低功耗
•节能待机模式
•专为高温应用设计
•读/写温度:低55°C,高175°C(为200°C应用呼叫工厂)
•17时预期寿命2000小时5°C