高温存储器8MB08SF04
8MB08SF04
•单电压读写操作–2.7-3.6V•串行接口结构–SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
•低功耗：–主动读电流：320 mA（典型）–待机电流：160μA（典型）
•灵活擦除能力–均匀4 kbyte扇区–均匀32 kbyte覆盖Ay块–统一的64 kbyte叠加块
•快速擦除和字节程序：–芯片擦除时间：35 ms（典型）–扇区/块擦除时间：18 ms（典型）–字节程序时间：7μs（典型）
•自动地址增量（AAI）字程序–通过字节程序操作减少芯片编程总时间
•写入结束检测–软件在状态寄存器中轮询忙位–在so pin上读取忙状态
•hold pin（hold）–在不取消选择设备的情况下暂停对内存的串行序列
•写保护（wp）–启用/禁用状态寄存器的锁定功能
•软件写保护–通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
•终端镀金
•设计用于高温应用程序读/写温度：低55摄氏度，高175摄氏度（200摄氏度应用程序请致电工厂）。
•175摄氏度下的预期寿命为2000小时
•单电压读写操作–2.7-3.6V•串行接口结构–SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
•低功耗：–主动读电流：320 mA（典型）–待机电流：160μA（典型）
•灵活擦除能力–均匀4 kbyte扇区–均匀32 kbyte覆盖Ay块–统一的64 kbyte叠加块
•快速擦除和字节程序：–芯片擦除时间：35 ms（典型）–扇区/块擦除时间：18 ms（典型）–字节程序时间：7μs（典型）
•自动地址增量（AAI）字程序–通过字节程序操作减少芯片编程总时间
•写入结束检测–软件在状态寄存器中轮询忙位–在so pin上读取忙状态
•hold pin（hold）–在不取消选择设备的情况下暂停对内存的串行序列
•写保护（wp）–启用/禁用状态寄存器的锁定功能
•软件写保护–通过状态寄存器中的块保护位进行写保护
•终端镀金
•设计用于高温应用程序读/写温度：低55摄氏度，高175摄氏度（200摄氏度应用程序请致电工厂）。
•175摄氏度下的预期寿命为2000小时
