TLP155的那些特征学习
描述：
GAA光电红外LED和光电IC；
TLP155概述
TLP155由一个GaA_作为红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器。
TLP155封装在SO6封装中。
光电探测器有一个内部法拉第屏蔽保证共模瞬态抗扰度为±20 kV/μ。TLP155适用于直门用于IGBTS或功率MOSFET的驱动电路。
TLP155内部电路（注）
注意：必须在针脚6和针脚4之间连接一个0.1-微F旁路电容器。
TLP155特征
（1）缓冲逻辑类型（图腾极输出）
（2）包装类型：SO6
（3）输出峰值电流：±0.6 A（大）
（4）工作温度：－40～100℃
（5）阈值输入电流：7.5 mA（大）
（6）传播延迟时间：tphl/tplh=200ns（大）
（7）共模瞬态抗扰度：±20 kV/μs（min）
（8）传播延迟偏差：±85ns（大）
（9）隔离电压：3750 Vrms（min）
TLP155应用
等离子显示屏（PDPS）
晶体管逆变器
MOSFET门驱动器
IGBT门驱动器
注：
在重负荷下连续使用（例如，高温/电流/电压的应用和温度的显著变化等）可能导致本产品的可靠性显著降低；
甚至如果工作条件（即工作温度/电流/电压等）在大值内评级。
请在查阅半导体可靠性手册后，设计适当的可靠性。
（处理注意事项）/“降额概念和方法”）和个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
注1：(http://www.dzs***/ic-detail/9_8562.html)
脉冲宽度（pw）≤1μs，300 pps注2：指数波形。
脉宽≤2微秒，f≤10千赫，VCC=20V，Ta=-40至100注3：
本装置为双端装置：插脚1和3短接在一起，插脚4、5和6为短接在一起。
GAA光电红外LED和光电IC；
TLP155概述
TLP155由一个GaA_作为红外发光二极管和集成的高增益、高速光电探测器。
TLP155封装在SO6封装中。
光电探测器有一个内部法拉第屏蔽保证共模瞬态抗扰度为±20 kV/μ。TLP155适用于直门用于IGBTS或功率MOSFET的驱动电路。
TLP155内部电路（注）
注意：必须在针脚6和针脚4之间连接一个0.1-微F旁路电容器。
TLP155特征
（1）缓冲逻辑类型（图腾极输出）
（2）包装类型：SO6
（3）输出峰值电流：±0.6 A（大）
（4）工作温度：－40～100℃
（5）阈值输入电流：7.5 mA（大）
（6）传播延迟时间：tphl/tplh=200ns（大）
（7）共模瞬态抗扰度：±20 kV/μs（min）
（8）传播延迟偏差：±85ns（大）
（9）隔离电压：3750 Vrms（min）
TLP155应用
等离子显示屏（PDPS）
晶体管逆变器
MOSFET门驱动器
IGBT门驱动器
注：
在重负荷下连续使用（例如，高温/电流/电压的应用和温度的显著变化等）可能导致本产品的可靠性显著降低；
甚至如果工作条件（即工作温度/电流/电压等）在大值内评级。
请在查阅半导体可靠性手册后，设计适当的可靠性。
（处理注意事项）/“降额概念和方法”）和个别可靠性数据（即可靠性试验报告和估计故障率等）。
注1：(http://www.dzs***/ic-detail/9_8562.html)
脉冲宽度（pw）≤1μs，300 pps注2：指数波形。
脉宽≤2微秒，f≤10千赫，VCC=20V，Ta=-40至100注3：
本装置为双端装置：插脚1和3短接在一起，插脚4、5和6为短接在一起。
